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| 砷化镓超高速电路用SI-GaAs材料——Ⅲ.GaAs中杂质和缺陷的行为;Ⅳ.SI-GaAs单晶的特性 | |
| 引用本文： | 鄢俊明.砷化镓超高速电路用SI-GaAs材料——Ⅲ.GaAs中杂质和缺陷的行为;Ⅳ.SI-GaAs单晶的特性[J].微电子学,1991(5). |
| 作者姓名： | 鄢俊明 |
| 作者单位： | 电子科技大学 |
| 摘 要： | 3.GaAs中的杂质和缺陷的行为 3.1 GaAs中的施主、受主、中性、双性和深能级杂质 GaAs中的掺杂技术比Si中复杂,可选择的杂质较多,杂质在GaAs中可替代Ga或As原子,也可处于GaAs晶格的间隙位置上,因而表现出不同的电学性质。 |
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