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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
结构改进的高压VDMOS功率晶体管
作者姓名:
孔德 平 王锡祺
作者单位:
东南大学电子系,东南大学电子系,宜兴市半导体厂,宜兴市半导体厂 210028 南京,210028 南京,214204,214204
摘 要:
本文给出高压VDMOS功率晶体管的一种新颖结构,可以明显地减小器件的导通电阻和保持较高的开关速度。
关 键 词:
功率晶体管 晶体管 VOMOS
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