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| AlN陶瓷衬底的SIMS和XRD测量 | |
| 引用本文： | 陈新,陈春华.AlN陶瓷衬底的SIMS和XRD测量[J].真空科学与技术,1995,15(4):262-265. |
| 作者姓名： | 陈新 陈春华 |
| 摘 要： | ＡｌＮ陶恣成分怀发对于ＡｌＮ的性能具有决定性作用，用二次离子质谱（ＳＩＭＳ）和Ｘ射线衍（ＸＲＤ）对清华大学材料系电子封装用的ＡｌＮ陶瓷进行了研究。ＳＩＭＳ谱表明ＡｌＮ衬底中除Ａｌ，Ｎ以我有Ｃ，Ｏ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｙ等元素，其中有些是表面污染。衬底的ＳＩＭＳ深度分析表明样品Ｏ，Ｃａ，Ｙ信号都很强，且分布均匀，说明样口 含有Ｙ２Ｏ３，ＣａＯ添加剂，ＡｌＮ样品的ＸＲＤ谱与ＡｌＮ的ＪＣＰＤＳ卡片对照，在测量范 |
| 关 键 词： | 电子封装材料 二次离子质谱 X射线衍射 |
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