TiN/n—GaAs体系界面的研究 |
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引用本文: | 何杰,金高龙.TiN/n—GaAs体系界面的研究[J].真空科学与技术,1995,15(6):368-373. |
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作者姓名: | 何杰 金高龙 |
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摘 要: | 利用二次离子质谱(SIMS)深能级瞬态谱(DLTS)研究了TiN/n-GaAs体系。SIMS结果表明,退火后Ti的浓度剖面向胂化镓衬底略有移动,N则基本救济为;DLTS观察到的Ec=0.21eV处的Ti^3+*3d)/Ti^3+(3d^2)单受主中心,但其浓度较EL2要小得多。根据实验结果,探讨了退火后难熔金属氮化物/n-GsAs体系电学特性改善的原因。
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关 键 词: | 氮化钛 砷化镓 界面 深能级 集成电路 |
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