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| 扫描电镜能谱数据异常原因分析 | |
| 引用本文： | 高学平,张爱敏.扫描电镜能谱数据异常原因分析[J].理化检验(物理分册),2020,56(8):13-15. |
| 作者姓名： | 高学平 张爱敏 |
| 作者单位： | 山东大学 材料科学与工程学院先进材料测试与制造平台,济南 250061 |
| 摘 要： | 在SiO_2基体上电化学沉积400nm厚度银涂层,然后用扫描电镜能谱仪进行成分表征时,结果出现异常现象。利用原子力显微镜(AFM)和蒙特卡洛模拟(Monte Carlo Simulation)软件对该异常现象产生原因进行了分析。结果表明:氧元素的特征X射线能量K_α=05.25keV,该能量能级较低难以穿透400nm厚度的银涂层,硅元素的特征X射线能量K_α=17.4keV,K_β=18.38keV,能级较高,能够穿透该厚度的银涂层。 |
| 关 键 词： | 银涂层 能谱仪 原子力显微镜 蒙特卡洛模拟 |
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