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基于压控单元的单电子晶体管宏模型
引用本文:戴大康,杨红官,喻彪,曾云.基于压控单元的单电子晶体管宏模型[J].微计算机信息,2008,24(32).
作者姓名:戴大康  杨红官  喻彪  曾云
基金项目:湖南省青年骨干教师培养计划项目:颁发部门:湖南省教育厅,基金资助项目名称:基于新结构光电器件的CMOS图像传感器及其读出电路研究:颁发部门:湖南省科技厅
摘    要:采用等效电路的方法,将单电子晶体管(SET)等效为由电容、电阻、多个压控电压源和压控电流源构成的电路,并从SET的结构出发,利用正统理论和量子力学理论,得到了单电子晶体管的电压与电流的关系.该模型可以较好模拟SET稳态时的工作状态,并可以由此出发,研究SET反相器和存储器电路,解决SET/MOS混合电路仿真的问题,对未来单电子电路的研究会有一定的帮助.

关 键 词:单电子晶体管  等效电路  SPICE模型  宏模型

Macromodel of Single-Electron Transistor Based on the Voltage-Controlled Circuit Cell
DAI Da-kong,YANG Hong-guan,YU Biao,ZENG Yun.Macromodel of Single-Electron Transistor Based on the Voltage-Controlled Circuit Cell[J].Control & Automation,2008,24(32).
Authors:DAI Da-kong  YANG Hong-guan  YU Biao  ZENG Yun
Abstract:
Keywords:
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