| 聚酰亚胺MOSFET湿度传感器研究 |
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| 引用本文： | 廖荣,李蓓,张振杰,李宇威.聚酰亚胺MOSFET湿度传感器研究[J].传感器与微系统,2017,36(9). |
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| 作者姓名： | 廖荣 李蓓 张振杰 李宇威 |
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| 作者单位： | 华南理工大学电子与信息学院,广东广州,510641 |
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| 基金项目： | 2015中央高校基本科研业务费本科生自主选题项目，华南理工大学第一批“探索性实验”教学项目 |
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| 摘 要： | 将聚酰亚胺(PI)薄膜制作在金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的栅极上,当环境湿度发生变化时,将引起PI吸湿量的变化,电容量改变,据此可制成湿度传感器件,测试结果显示:该湿度传感器具有明显的湿度敏感特性.
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| 关 键 词： | 聚酰亚胺(PI) 湿度传感器 半导体平面工艺 扩展栅极结构 相对湿度 |
Research on PI MOSFET humidity sensor |
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| LIAO Rong,LI Bei,ZHANG Zhen-jie,LI Yu-wei.Research on PI MOSFET humidity sensor[J].Transducer and Microsystem Technology,2017,36(9). |
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| Authors: | LIAO Rong LI Bei ZHANG Zhen-jie LI Yu-wei |
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| Abstract: | Polyimide(PI) film is produced on the grid electrode of metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET),when humidity changes,it will cause the change of PI moisture content,that is,the capacitance change,accordingly humidity sensors can be manufactured,the test results show the humidity sensor has obvious characteristics of humidity sensitive. |
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| Keywords: | polyimide (PI) humidity sensor semiconductor planar process extended grid electrode structure relative humidity |
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