| Tb~(3+)在Lu_3Ga_5O_(12)中的光致发光性质及浓度猝灭机制 |
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| 引用本文： | 朱宪忠,储成林.Tb~(3+)在Lu_3Ga_5O_(12)中的光致发光性质及浓度猝灭机制[J].硅酸盐学报,2015(7). |
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| 作者姓名： | 朱宪忠 储成林 |
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| 作者单位： | 1. 南京信息职业技术学院微电子学院,南京,210046
2. 东南大学材料科学与工程学院,南京,211189 |
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| 基金项目： | 江苏省基础研究计划(自然科学基金)(BK2012869)资助项目。 |
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| 摘 要： | 采用高温固相合成法在还原气氛中制备了(Lu1–xTbx)3Ga5O12荧光粉,研究了其晶体结构、光致发光性能以及Tb3+掺杂浓度对荧光粉性能的影响规律与机制。研究表明:荧光粉具有石榴石型晶体结构,当x增加时,晶格膨胀。荧光粉的激发光谱由归属于Tb3+的4f 8→4f 7 5d1跃迁的A、B两个宽激发带以及归属于4f 8→4f 8跃迁的一些窄谱峰构成;随x的增加,A、B带发生红移,带间距缩小。在紫外光激发下,荧光粉发射绿光;发射光谱对应于Tb3+的5D4→7FJ和5D3→7FJ跃迁,其中5D4→7F5跃迁发射最强。5D4→7FJ各跃迁发射的浓度猝灭以交互作用为主,猝灭浓度xm=0.08。与5D4→7FJ跃迁相比,5D3→7FJ猝灭浓度低,猝灭机制以电偶极–电偶极相互作用下交叉弛豫为主。
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| 关 键 词： | 镥镓石榴石 铽离子掺杂 光致发光 浓度猝灭 |
Photoluminescent Properties and Mechanism of Concentration Quenching of Tb3+ in Lu3Ga5O12 |
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| ZHU Xianzhong,CHU Chunlin.Photoluminescent Properties and Mechanism of Concentration Quenching of Tb3+ in Lu3Ga5O12[J].Journal of The Chinese Ceramic Society,2015(7). |
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| Authors: | ZHU Xianzhong CHU Chunlin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | lutetium gallium garnet terbium ion doping photoluminescence concentration quenching |
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