| GaAs／（Pd，Ti，Pd，Au）多层膜的退火扩散机制 |
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| 引用本文： | 罗广圣,李长全,钟文斌. GaAs／（Pd，Ti，Pd，Au）多层膜的退火扩散机制[J]. 南昌大学学报(工科版), 2001, 23(2): 87-90 |
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| 作者姓名： | 罗广圣 李长全 钟文斌 |
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| 作者单位： | 南昌大学化学与材料科学学院 |
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| 基金项目： | 江西省自然科学基金资助项目 ( 9950 0 35) |
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| 摘 要： | 采用扫描俄歇电子能谱法，对GaAs／Pd(50A)Ti(400A)Pd(400A)Au(2000A)在不同退火条件下多层膜间的扩散机制进行了研究．结果表明，薄膜与衬底结合较好，各层薄膜之间的扩散随退火温度的升高而更加充分，在450℃以上退火后，各层薄膜之间发生了充分的扩散，并且薄膜与衬底结合更好．
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| 关 键 词： | 扫描俄歇电子能谱 多层膜 退火 扩散 |
| 文章编号： | 1006-0456(2001)02-0087-04 |
| 修稿时间： | 2001-02-26 |
The Anneal Diffusion Mechanism of GaAs/(Pd,Ti,Pd,Au) Multi-layer Films |
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| LUO Guang-sheng,LI Chang-quan,ZHONG Wen-bin. The Anneal Diffusion Mechanism of GaAs/(Pd,Ti,Pd,Au) Multi-layer Films[J]. Journal of Nanchang University(Engineering & Technology Edition), 2001, 23(2): 87-90 |
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| Authors: | LUO Guang-sheng LI Chang-quan ZHONG Wen-bin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | scanning Auger electron spectroscopy multi-layer films anneal diffusion |
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