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| 应变层In_xGa_(1-x)As/GaAs量子阱的光调制反射谱研究 | |
| 作者姓名： | 潘士宏 刘毅 张存洲 张光寅 冯巍 周钧铭 |
| 作者单位： | 南开大学物理系半导体超晶格国家重点实验室 天津300071(潘士宏，刘毅，张存洲，张光寅)，中国科学院物理研究所 北京100080(冯巍)，中国科学院物理研究所 北京100080(周钧铭) |
| 摘 要： | 用光调制反射谱(PR)测量了三块应变层 In_xGa_(1-x)As/GaAs 量子阱多重结构样品,每块样品中包含宽度为140、80、50、30和20A的量子阱.在300K和77K的PR谱中观察到各个量子阱的11H和11L光跃迁.根据PR数据用包络函数法进行分析,估算了量子阱中In的成分.在解释300K和77K实验结果时考虑了流体静压形变势常数的温度依赖性.实验和理论最佳符合时求得导带边不连续性在300K为0.7,77K为0.66. |
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