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| 一种与双极型模拟电路兼容的低/高压MOS器件 | |
| 引用本文： | 赖宗声,徐惠君,卢哲宝,刘耀明.一种与双极型模拟电路兼容的低/高压MOS器件[J].微电子学,1986(Z1). |
| 作者姓名： | 赖宗声 徐惠君 卢哲宝 刘耀明 |
| 作者单位： | 华东师大电子科学系 (赖宗声，徐惠君)，上海元件五厂 (卢哲宝)，上海元件五厂(刘耀明) |
| 摘 要： | 本文介绍一种与双极IC电路技术完全兼容的低压(CMOS)/高压(VDMOS)器件设计与制备工艺。VDMOS器件阈电压:1～2伏(根据注入剂量调节),漏击穿电压大于150伏。V_(GS)=5V时其跨导大于10m(?),导通电阻小于200Ω,最大输出电流约800mA。同时得到的NPN器件其β≥250,BV_(ceo)≥65V,BV_(CBO)≥90V。CMOS器件性能也合乎要求。利用这种工艺可制作任何低压和高压双极/MOS器件,这对于功率集成、高低压转换与驱动、等离子体显示等方面应用会有很多实用价值。 |
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