| InGaAs短波红外探测器 |
| |
| 引用本文： | 潘建旋,以善珍,周航宇. InGaAs短波红外探测器[J]. 红外与激光工程, 2007, 36(Z1) |
| |
| 作者姓名： | 潘建旋 以善珍 周航宇 |
| |
| 摘 要： | 与InP衬底晶格常数相匹配的In0.53Ga0.47As材料能够制作出高质量的光电探测器,可工作在室温或热电制冷条件下,光响应谱范围为0.92～1.7μm,具有高达80%以上的量子效率.通过对InGaAs探测器芯片平面和平台式结构的分析,以及InGaAs芯片和HgCdTe芯片的性能测试、比较,充分证明了InGaAs材料芯片的优越性及研制在室温下工作的高性能InGaAs探测器的可行性.对InGaAs芯片相对光谱特性的测试表明,InGaAs材料温度响应重复性较好.
|
| 关 键 词： | 短波红外 InGaAs 探测器 室温 |
InGaAs shortwave infrared detector |
| |
| PAN Jian-xuan,YI Shanzhen,ZHOU Hang-yu. InGaAs shortwave infrared detector[J]. Infrared and Laser Engineering, 2007, 36(Z1) |
| |
| Authors: | PAN Jian-xuan YI Shanzhen ZHOU Hang-yu |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
|
