| 基于线算法的ICP深反应离子刻蚀模型 |
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| 引用本文： | 张鉴,何晓雄,刘成岳,戚昊琛. 基于线算法的ICP深反应离子刻蚀模型[J]. 真空科学与技术学报, 2008, 28(5) |
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| 作者姓名： | 张鉴 何晓雄 刘成岳 戚昊琛 |
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| 作者单位： | 合肥工业大学应用物理系,合肥,230009 |
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| 基金项目： | 安徽省教育厅省级自然科学研究计划重点项目，温州市对外科技合作交流项目 |
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| 摘 要： | 电感耦合等离子体(ICP)刻蚀是目前集成电路与微机电系统制造的关键工艺之一.利用一种改进的复合交替深刻蚀(TMDE)模型对ICP深反应离子刻蚀(Deep-RIE)进行了工艺仿真建模.根据深反应离子刻蚀中Footing效应的实验特征,提出了针对这一现象的表面描述方程,并借助实验手段确定了该表面描述方程中的参数,从而为模型添加了一种简单有效的Footing效应模拟模块.最后对Deep-RIE和Footing效应刻蚀表面进行模拟,验证了模型的有效性和可用性.
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| 关 键 词： | 深反应离子刻蚀 线算法 Footing效应 模型 |
Modeling of Deep Reactive Ion Etching by Inductively Coupled Plasma with String Algorithm |
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| Zhang Jian,He Xiaoxiong,Liu Chengyue,Qi Haochen. Modeling of Deep Reactive Ion Etching by Inductively Coupled Plasma with String Algorithm[J]. JOurnal of Vacuum Science and Technology, 2008, 28(5) |
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| Authors: | Zhang Jian He Xiaoxiong Liu Chengyue Qi Haochen |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ICP |
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