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超晶格半导体材料的光磁电效应(I)
引用本文:罗诗裕,邵明珠.超晶格半导体材料的光磁电效应(I)[J].半导体学报,2005,26(9):1744-1748.
作者姓名:罗诗裕  邵明珠
作者单位:东莞理工学院,东莞523106
摘    要:从Shockley-read统计出发,引入载流子寿命与浓度的相关性,描述了超晶格半导体载流子的输运特征,将载流子的输运方程化为二阶非线性方程,并用双参数摄动法找到了方程的一般解.在二阶近似下,计算了半导体材料的短路电流和光导电流,进一步揭示了大信号情况下光磁电效应的非线性特征.

关 键 词:超晶格  半导体  光磁电效应  非线性
文章编号:0253-4177(2005)09-1744-05
收稿时间:2004-12-09
修稿时间:2005-05-09
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