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一种低电源电压曲率补偿带隙基准
引用本文:蔡化,龚敏.一种低电源电压曲率补偿带隙基准[J].现代电子技术,2007,30(14):173-176.
作者姓名:蔡化  龚敏
作者单位:1. 四川大学 物理科学与技术学院 四川 成都 610064
2. 微电子技术四川省重点实验室 四川 成都 610064
摘    要:设计了一个在0.8μm BiCMOS工艺、低于1 V电源电压下的带隙基准电压源,能稳定产生0.61 V的基准电压。该电路结合当今电压基准主流技术及研究进展,采用了一种系统失调仅912μV的新型运算放大器;采取了T型电阻网络和加入曲率补偿支路的方法,实现了大于59 dB电源抑制比和-30~150℃范围内11.7 ppm/℃的温度系数。

关 键 词:带隙基准  T型电阻网络  曲率补偿
文章编号:1004-373X(2007)14-173-04
收稿时间:2007-02-04
修稿时间:2007-02-04

A Low Supply Voltage Curvature-correction Bandgap Reference Circuit
CAI Hua,GONG Min.A Low Supply Voltage Curvature-correction Bandgap Reference Circuit[J].Modern Electronic Technique,2007,30(14):173-176.
Authors:CAI Hua  GONG Min
Affiliation:1. School of Physical Science and Technology,Sichuan University,Chengdu,610064 ,China;2. Key Lab of Microelectronics,Chengdu,610061 .China
Abstract:
Keywords:BiCMOS
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