| 纯Ar气氛中退火对Al掺杂ZnO薄膜性能的影响 |
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| 引用本文： | 汪冬梅,吕珺,徐光青,吴玉程,郑治祥.纯Ar气氛中退火对Al掺杂ZnO薄膜性能的影响[J].材料热处理学报,2007,28(4):46-50. |
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| 作者姓名： | 汪冬梅 吕珺 徐光青 吴玉程 郑治祥 |
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| 作者单位： | 合肥工业大学材料科学与工程学院,安徽,合肥,230009 |
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| 基金项目： | 合肥工业大学校科研和教改项目 |
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| 摘 要： | 用射频磁控溅射技术制备了高度择优取向的Al掺杂ZnO(ZAO)薄膜,并对薄膜在纯氩气中进行了400～600℃的退火处理.利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)、光谱仪和四探针测试仪等对退火前后薄膜进行了表征和光学、电学性能研究.研究表明,纯氩气中退火处理对ZAO薄膜的晶体、光学和电学性能有影响.原位沉积的薄膜电阻率2.59Ωcm,可见光区透过率约70%.500℃纯Ar气氛中退火1h后,ZAO薄膜的平均晶粒有所长大,薄膜内应力达到最小,接近于松弛状态;薄膜可见光区平均透过率从70%提高到80%左右;而薄膜的电阻率变化不明显,从2.59Ωcm降低到1.13Ωcm.
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| 关 键 词： | Al掺杂ZnO(ZAO)薄膜 退火处理 结晶性能 透光率 电阻率 退火 掺杂 薄膜性能 影响 oxide films zinc properties argon annealing 变化 薄膜电阻率 平均透过率 状态 最小 内应力 晶粒 可见光 原位沉积 晶体 研究 |
| 文章编号： | 1009-6264（2007）04-0046-05 |
| 修稿时间： | 2006-07-31 |
Influence of annealing in argon on properties of Al-doped zinc oxide films |
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| WANG Dong-mei,L Jun,XU Guang-qing,WU Yu-cheng,ZHENG Zhi-xiang.Influence of annealing in argon on properties of Al-doped zinc oxide films[J].Transactions of Materials and Heat Treatment,2007,28(4):46-50. |
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| Authors: | WANG Dong-mei L Jun XU Guang-qing WU Yu-cheng ZHENG Zhi-xiang |
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| Affiliation: | School of Material Science and Engineering, Heifei University of Technology, Hefei 230009, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Al-doped zinc oxide(ZAO) film annealing crystallization transmittance resistivity |
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