| 基于GaAs pHEMT工艺的S波段高增益驱动放大器的设计研究 |
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| 作者姓名： | 林 倩 陈思维 邬海峰 胡单辉 陈依军 胡柳林 |
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| 作者单位： | 青海民族大学物理与电子信息工程学院,青海 西宁810007;成都嘉纳海威科技有限公司,四川 成都610000 |
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| 基金项目： | 国家自然金(61841110)，2021年中科院西部之光青年学者项目(1_14)，青海省自然科学基金面上项目（2021-ZJ-910）,青海民族大学研究生创新项目 |
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| 摘 要： | 本文介绍了一种基于砷化镓赝配高电子迁移率晶体管(GaAs pHEMT)工艺的S波段高增益单片微波驱动放大器(Drive Amplifier, DA)。该放大器采用了基于负反馈技术的共源共栅(Cascode)放大器驱动共源放大器的双级放大结构，可以实现良好的功率增益和高线性度特性。本文采用0.5 μm GaAs pHEMT工艺验证了该设计方法的可行性。实测结果显示，在5 V供电时，该DA在2.5-4.2 GHz频带内其小信号增益(S21)为26 dB，输入回波损耗(S11)小于-7.5 dB，输出回波损耗(S22)小于-6.5 dB，输出三阶交调点(OIP3)为30.5 dBm，饱和输出功率(Psat)为26.5 dBm，最大功率附加效率(PAE)为25%。该芯片面积为1.3 mm2。该芯片实测结果可以满足5G无线通讯系统中Sub-6G频段的典型驱动功率放大的指标要求，具有广泛的市场应用前景。
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| 关 键 词： | 砷化镓赝配高电子迁移率晶体管 单片微波集成电路 共源共栅 双级放大 高增益 |
| 收稿时间： | 2020-09-24 |
| 修稿时间： | 2021-03-11 |
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