| n+-p-HgCdTe光伏探测器的化学硫化 |
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| 引用本文： | 赵晓燕,彭震宇,鲁正雄.n+-p-HgCdTe光伏探测器的化学硫化[J].航空兵器,2006,479(1):35-37. |
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| 作者姓名： | 赵晓燕 彭震宇 鲁正雄 |
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| 作者单位： | 中国空空导弹研究院,河南,洛阳,471009 |
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| 摘 要： | 首次采用Na2S.9H2O在n -p-HgCdTe表面进行化学硫化,然后溅射ZnS于化学硫化层上的钝化方法。I-V特性曲线显示,经过化学硫化的n -p-HgCdTe器件的漏电流有所下降。分析表明,化学硫化由于抑制了表面氧化而降低了表面态密度,避免了相应漏电流的形成。
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| 关 键 词： | n -p-HgCdTe 光伏探测器 化学硫化 I-V特性 |
| 文章编号： | 1673-5048(2006)01-0035-03 |
| 收稿时间： | 2005-03-29 |
| 修稿时间： | 2005年3月29日 |
Sulphur-Passivation of n+-on-p-HgCdTe Photovoltaic Detectors |
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| ZHAO Xiao-yan,PENG Zhen-yu,LU Zheng-xiong.Sulphur-Passivation of n+-on-p-HgCdTe Photovoltaic Detectors[J].Aero Weaponry,2006,479(1):35-37. |
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| Authors: | ZHAO Xiao-yan PENG Zhen-yu LU Zheng-xiong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | n~ -on-p-HgCdTe photovoltaic detectors sulphur-passivation I-V characteristics |
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