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6H-SiC基MPS二极管正向双势垒特性研究
作者单位:兰州交通大学电子与信息工程学院,甘肃兰州730070;兰州交通大学电子与信息工程学院,甘肃兰州730070;兰州交通大学电子与信息工程学院,甘肃兰州730070;兰州交通大学电子与信息工程学院,甘肃兰州730070;兰州交通大学电子与信息工程学院,甘肃兰州730070
摘    要:

关 键 词:光电子学  6H-SiC MPS  势垒高度  理想因子  软度因子  缺陷
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