| 芳纶纳米纤维/钛酸钡纳米纤维复合电介质薄膜制备与介电性能研究 |
| |
| 引用本文： | 魏祎迪,崔芯悦,张世龙,王策,马宇琪,朱燕灵,赵永生,张广成.芳纶纳米纤维/钛酸钡纳米纤维复合电介质薄膜制备与介电性能研究[J].绝缘材料,2024(5):20-25. |
| |
| 作者姓名： | 魏祎迪 崔芯悦 张世龙 王策 马宇琪 朱燕灵 赵永生 张广成 |
| |
| 作者单位： | 1. 西北工业大学化学与化工学院&伦敦玛丽女王大学工程学院;2. 四川大学高分子材料与工程国家重点实验室;3. 西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室 |
| |
| 基金项目： | 高分子材料与工程国家重点实验室（四川大学）开放课题（No.sklpme2019-4-37）；;电力设备电气绝缘国家重点实验室（西安交通大学）开放课题（EIPE19201）； |
| |
| 摘 要： | 选用芳纶纳米纤维（ANF）作为耐高温基体，并填充钛酸钡纳米纤维（BTNF）制备ANF/BTNF纸基复合薄膜，研究不同BTNF填充量对复合薄膜介电性能的影响。结果表明：ANF/BTNF复合薄膜的厚度约为10μm。当BTNF质量分数为0～20%时，随着BTNF填充量的增加，复合薄膜的介电常数和电气强度均提升。当BTNF的质量分数增大到40%时，复合薄膜的介电常数显著提升，但是在高频区快速降低，介质损耗因数显著增大，同时复合薄膜的电气强度略微下降。因此，BTNF质量分数为20%的ANF/20BTNF复合薄膜综合介电性能最佳，在1 kHz时介电常数达到4.78，电气强度为8.90 kV/mm。
|
| 关 键 词： | 芳纶纳米纤维 钛酸钡纳米纤维 复合电介质 介电性能 |
|
