| 微米级硫化物半导体的红外发射率研究 |
| |
| 引用本文： | 王函 徐国跃 翁履谦 王芹 王秀华. 微米级硫化物半导体的红外发射率研究[J]. 功能材料, 2004, 35(Z1): 283-285 |
| |
| 作者姓名： | 王函 徐国跃 翁履谦 王芹 王秀华 |
| |
| 作者单位： | 王函（南京航空航天大学,材料科学与技术学院,南京,210016）;徐国跃（南京航空航天大学,材料科学与技术学院,南京,210016）;翁履谦（南京航空航天大学,材料科学与技术学院,南京,210016）;王芹（南京航空航天大学,材料科学与技术学院,南京,210016）;王秀华（南京航空航天大学,材料科学与技术学院,南京,210016） |
| |
| 基金项目： | 国防基础科研基金资助项目(J1300A002) |
| |
| 摘 要： | 为了制备出在8～14μm红外波段具有较低红外发射率的粉体,以硫化镉(CdS)、硫化锌(ZnS)为原料,采用了气氛固相烧结法制备了微米级的CdZnS固溶体粉体.采用XRD、BET(ASAT2010)比表面仪表征,研究了粉体的结构、粒度等特征.通过IR-1红外发射率测量仪器测试了粉体在8～14μm波段的红外发射率.着重讨论了粉体的晶格畸变和8～14μtm波段红外发射率之间的关系,并对此给出了一定的解释.
|
| 关 键 词： | 硫化物半导体 红外发射率 晶格畸变 晶格振动 |
| 文章编号： | 1001-9731(2004)增刊-0283-03 |
| 修稿时间： | 2004-04-24 |
The infrared emissivity research of micrometer sulfide semiconductor |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
|
|
