| 新结构复合收集区InGaP/GaAs异质结双极晶体管结构设计及特性 |
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| 引用本文： | 石瑞英,刘训春,袁志鹏,王润梅,孙海锋. 新结构复合收集区InGaP/GaAs异质结双极晶体管结构设计及特性[J]. 半导体学报, 2004, 25(3): 316-320 |
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| 作者姓名： | 石瑞英 刘训春 袁志鹏 王润梅 孙海锋 |
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| 作者单位： | 四川大学物理系 成都610064(石瑞英)，中国科学院微电子中心 北京100029(刘训春，袁志鹏，王润梅)，中国科学院微电子中心 北京100029(孙海锋) |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 利用电子运动速度过冲现象,设计出了一种新结构复合收集区In Ga P/Ga As异质结双极晶体管.这种结构不仅提高了器件的截止频率,而且降低了影响器件直流性能的补偿电压.所制备器件的截止频率达到77GHz,直流电流增益高达10 0 ,补偿电压低至70 m V .同时,把所制备器件的微波和直流特性与已发表的文献进行了比较,充分显示了这种结构的优越性.
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| 关 键 词： | 电子运动速度过冲 复合收集区 异质结双极晶体管 直流和射频特性 |
| 文章编号： | 0253-4177(2004)03-0316-05 |
| 修稿时间： | 2003-03-02 |
A Novel Compound Collector InGaP/GaAs Heterojunction Bipolar Transistor |
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| Shi Ruiying,Liu Xunchun,Yuan Zhipeng,Wang Runmei and Sun Haifeng. A Novel Compound Collector InGaP/GaAs Heterojunction Bipolar Transistor[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2004, 25(3): 316-320 |
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| Authors: | Shi Ruiying Liu Xunchun Yuan Zhipeng Wang Runmei Sun Haifeng |
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| Affiliation: | Shi Ruiying1,Liu Xunchun2,Yuan Zhipeng2,Wang Runmei2 and Sun Haifeng2 |
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| Abstract: | A novel compound collector InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistor is designed based on electron velocity overshoot phenomena.Cutoff frequency f T not only increases,offset voltage but also reduces in this structure.The cutoff frequency of 77GHz,with a DC current gain of 100,and the offset voltage down to 70mV are obtained.At the same time,DC and microwave characteristics are compared with a reported paper. |
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| Keywords: | velocity overshoot compound collector heterojunction bipolar transistor DC and microwave characteristics |
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