| NTD硅探测器 |
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| 引用本文： | 丁洪林,唐祖梅,陈国柱,李桂荣.NTD硅探测器[J].核电子学与探测技术,1986(3). |
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| 作者姓名： | 丁洪林 唐祖梅 陈国柱 李桂荣 |
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| 作者单位： | 中国原子能科学院
(丁洪林，唐祖梅，陈国柱)，中国原子能科学院(李桂荣) |
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| 摘 要： | 采用国产NTD硅单晶,研制了性能较好的NTD硅探测器。用它精确测定14MeV中子能量和作为γ射线计数器均取得了较满意的结果。其性能指标为:反向偏压1kV,漏电流≤5μA,26℃;对~(241)Am α源,FwHM为31-50KeV,26℃;对~(137)Cs 625 keV的内转换电子,FwHM为6.85LeV,-2℃。
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| 关 键 词： | NTD硅 探测器 性能测量 |
Neutron Transmutation Doping Silicon Detectors |
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| Ding Hongling Tang Zumei Chea Guozhu Li Guirong.Neutron Transmutation Doping Silicon Detectors[J].Nuclear Electronics & Detection Technology,1986(3). |
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| Authors: | Ding Hongling Tang Zumei Chea Guozhu Li Guirong |
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| Affiliation: | Atomic Energy Institute of China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | NTD silicon Detector |
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