| Mg∶In∶LiNbO_3晶体波导基片光损伤性能研究 |
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| 引用本文： | 徐悟生,许士文,王锐,徐玉恒.Mg∶In∶LiNbO_3晶体波导基片光损伤性能研究[J].硅酸盐学报,2003(1). |
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| 作者姓名： | 徐悟生 许士文 王锐 徐玉恒 |
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| 作者单位： | 哈尔滨工业大学电子科学与技术系，哈尔滨工业大学电子科学与技术系，哈尔滨工业大学电子科学与技术系，哈尔滨工业大学电子科学与技术系 哈尔滨工业大学光电信息中心，哈尔滨150001，哈尔滨工业大学光电信息中心，哈尔滨150001，哈尔滨工业大学光电信息中心，哈尔滨150001，哈尔滨工业大学光电信息中心，哈尔滨150001 |
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| 基金项目： | 国家重大基础研究项目 973资助 (G19990 330 )，国家“863”高技术计划项目资助 ( 2 0 0 1AA3130 40 )，黑龙江省自然科学基金 (A0 1-0 3)资助项目 |
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| 摘 要： | 在LiNbO3中掺入 3%MgO和 1%In2 O3(摩尔分数 ,下同 ) ,采用Czochralski法生长了 3%Mg∶2 %In∶LiNbO3晶体。极化后 ,对晶体进行氧化和还原处理。利用光斑畸变法 ,测试了晶体在 488.0nm波长下的抗光损伤能力 ,结果表明 :Mg∶In∶LiNbO3晶体抗光损伤能力比LiNbO3晶体提高 2个数量级以上。通过Li空位模型 ,研究了Mg∶In∶LiNbO3晶体抗光损伤能力增强的机理。利用苯甲酸质子交换法制备了几种晶体的光波导基片 ,并采用m -线法测试了 y切型波导基片在 632 .8nm波长下的光损伤阈值 ,Mg∶In∶LiNbO3光波导基片的抗光损伤能力也相应提高了 2个数量级
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| 关 键 词： | 掺杂铌酸锂晶体 波导基片 光损伤 引上法晶体生长 |
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