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| 短沟道MOSFET解析物理模型 | |
| 引用本文： | 杨谟华,于奇,肖兵.短沟道MOSFET解析物理模型[J].电子学报,1999,27(11):84-86,92. |
| 作者姓名： | 杨谟华 于奇 肖兵 |
| 作者单位： | 电子科技大学微电子科学与工程系!成都610054 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金!( 6 95 76 0 0 4)，国防预研基金!( 96J8 1 1 DZ0 2 0 5 ) |
| 摘 要： | 本文基于修正的二维泊松方程导出了适用于深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的值电压解析模型，并进而通过反型区电荷统一表达式并考虑到载流子速度饱和、ＤＩＢＬ、相关迁移率、反型层电容和沟道长度调制等主要小尺寸与高场效应，最后得以了较为准确、连续和可缩小的漏极电流模型，模型输出与华晶等榈测试ＭＩＮＩＭＯＳ模拟结果较为吻合，可用于ＶＬＳＩ器件与电路预测模拟。 |
| 关 键 词： | 短沟道 MOSFET 解析物理模型 VLSI／ULSI |
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