| 功率VDMOS热阻的温度系数特性研究 |
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| 引用本文： | 董晨曦,王立新. 功率VDMOS热阻的温度系数特性研究[J]. 微电子学, 2014, 0(1): 110-114 |
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| 作者姓名： | 董晨曦 王立新 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所, 北京 100029;中国科学院微电子研究所, 北京 100029 |
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| 摘 要： | 对功率VDMOS源漏间寄生PN结正向结电压VDS随温度变化的特性进行了测量,发现VDS与结温T存在良好的线性关系,通过理论推导进行了分析验证。同时发现,温度系数α = dVDS / dT与测试电流IF满足指数关系；且VDS-T线性曲线在不同的IF下具有聚焦特性,即在绝对零度时,不同IF下的VDS具有相同的值。经过对试验点的拟合分析,得到新的VDS表达式,很好地解释了VDS-T曲线与IF的关系及其在不同IF下的聚焦特性。该研究有利于实现结温的精确测量,保证热阻测试结果更加准确可靠,为器件的热特性分析提供强有力的依据。
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| 关 键 词： | 功率器件 热阻 温度系数 电学法 PN结 |
Study on Temperature Coefficient Characteristics of Thermal Resistance for Power VDMOS |
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| Affiliation: | Institute of Microelectronics, The Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, P. R. China;Institute of Microelectronics, The Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, P. R. China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Power device Thermal resistance Temperature coefficient Electricity method PN junction |
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