| 纳米ZnO压敏电阻的制备及性能研究 |
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| 引用本文： | 闫晓燕,卫英慧,胡兰青,许并社,张敏刚. 纳米ZnO压敏电阻的制备及性能研究[J]. 材料导报, 2005, 19(Z2): 43-44,52 |
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| 作者姓名： | 闫晓燕 卫英慧 胡兰青 许并社 张敏刚 |
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| 作者单位： | 1. 太原科技大学材料科学与工程学院,太原,030024
2. 太原理工大学材料科学与工程学院,太原,030024 |
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| 摘 要： | 研究了ZnO纳米粉制备压敏电阻的工艺条件,得出其最佳烧结温度为1200℃,与普通ZnO粉体制备的压敏陶瓷相比,纳米ZnO压敏电阻非线性性能好、结构均匀.
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| 关 键 词： | 压敏电阻 纳米 |
Study on Properties and Fabrication of Nanometer ZnO Varistor |
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| YAN Xiaoyan,WEI Yinghui,HU Lanqing,XU Bingshe,ZHANG Mingang. Study on Properties and Fabrication of Nanometer ZnO Varistor[J]. Materials Review, 2005, 19(Z2): 43-44,52 |
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| Authors: | YAN Xiaoyan WEI Yinghui HU Lanqing XU Bingshe ZHANG Mingang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ZnO |
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