Ⅲ-Ⅴ族三元体衬底生长工艺 |
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作者姓名: | 邓志杰 |
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摘 要: | 对三元合金衬底的研究已有40年的历史,但至今没有商品化材料,而利用具有“可变”晶格常数和带隙的三元衬底有利于提高器件性能、简化制造工序、降低制造成本。开发出直径≥50mm Ⅲ-Ⅴ族三元衬底生长工艺并达到:1,晶片上组分均匀性好于0.5%mol;2,缺陷密度低:无夹杂,无多相区,无裂纹,EPD(100cm^-2;3,有可调整的电学和光学性质;
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关 键 词: | 生长工艺 Ⅲ-Ⅴ族 金衬底 三元 器件性能 晶格常数 制造工序 制造成本 缺陷密度 |
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