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| Ⅲ-Ⅴ族三元体衬底生长工艺 | |
| 作者姓名： | 邓志杰 |
| 摘 要： | 对三元合金衬底的研究已有40年的历史，但至今没有商品化材料，而利用具有“可变”晶格常数和带隙的三元衬底有利于提高器件性能、简化制造工序、降低制造成本。开发出直径≥50mm Ⅲ-Ⅴ族三元衬底生长工艺并达到：1，晶片上组分均匀性好于0．5%mol；2，缺陷密度低：无夹杂，无多相区，无裂纹，EPD（100cm^-2；3，有可调整的电学和光学性质； |
| 关 键 词： | 生长工艺 Ⅲ-Ⅴ族 金衬底 三元 器件性能 晶格常数 制造工序 制造成本 缺陷密度 |
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