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| 基于等离子增强技术石墨衬底上低温制备GaN薄膜及其性能的实验研究 | |
| 作者姓名： | 张东 李昊轩 赵琰 宋世巍 李昱材 唐坚 张竞丹 王健 |
| 摘 要： | 采用电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学汽相沉积技术在石墨衬底上低温沉积制备出高质量GaN薄膜,采用三甲基镓(TMGa)和氮气(N2)作为制备GaN的反应源.采用X射线衍射分析、电子扫描显微镜以及室温光致发光谱测试系统对不同制备温度的GaN薄膜特性进行系统的表征研究.结果 表明,在优化的制备工艺条件下(制备温度450... |
| 关 键 词： | GaN薄膜 低温沉积 石墨衬底 不同制备温度 |
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