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脉冲偏压对矩形平面大弧源离子镀TiN 膜层性能的影响
引用本文:林永清,巩春志,魏永强,田修波,杨士勤,关秉羽,于传跃. 脉冲偏压对矩形平面大弧源离子镀TiN 膜层性能的影响[J]. 材料研究学报, 2008, 22(4)
作者姓名:林永清  巩春志  魏永强  田修波  杨士勤  关秉羽  于传跃
作者单位:哈尔滨工业大学材料学院现代焊接生产技术国家重点实验室,哈尔滨,150001;沈阳北宇真空设备厂,沈阳,110045;哈尔滨第一工具有限公司,哈尔滨,150020
摘    要:采用矩形平面大弧源离子镀技术在201奥氏体不锈钢基体表面制备TiN硬质薄膜,研究了脉冲偏压对TiN膜层的表面形貌、相结构、硬度和耐磨性能的影响.结果表明,随着脉冲偏压的增大,薄膜中大颗粒的数目先增加后减少,这是大颗粒受到离子拖曳力和电场力双重作用的结果.存在一个最佳的脉冲偏压,使得制备出的TiN膜层具有较高的I(111)/I(200)比例和较高的耐磨性.脉冲偏压为-300 V时制备的TiN膜层具有最好的综合性能.

关 键 词:无机非金属材料  离子镀  矩形靶  脉冲偏压  氮化钛  耐磨性

Influence of pulse bias on surface properties of TiN films fabricated by arc ion plating with large rectangle targets
LIN Yongqing,GONG Chunzhi,WEI Yongqiang,TIAN Xiubo,YANG Shiqin,GUAN Bingyu,YU Chuanyue. Influence of pulse bias on surface properties of TiN films fabricated by arc ion plating with large rectangle targets[J]. Chinese Journal of Materials Research, 2008, 22(4)
Authors:LIN Yongqing  GONG Chunzhi  WEI Yongqiang  TIAN Xiubo  YANG Shiqin  GUAN Bingyu  YU Chuanyue
Abstract:
Keywords:
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