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掺杂SO4^2-对In2O3电导和气敏性能的影响
引用本文:葛秀涛,刘杏芹,李永红.掺杂SO4^2-对In2O3电导和气敏性能的影响[J].郑州轻工业学院学报(自然科学版),2004,19(4):29-31.
作者姓名:葛秀涛  刘杏芹  李永红
作者单位:滁洲学院化学系,中国科学技术大学材料科学与工程系,滁洲学院化学系 安徽滁洲239012,安徽合肥230026,安徽滁洲239012
基金项目:安徽省教育厅自然科学基金资助项目(2004kj289)
摘    要:用超声分散浸渍法制备了掺杂SO2-4的In2O3半导体气敏材料,并对其电导和气敏性能进行了研究.结果表明:SO2-4的掺入改变了N型半导体In2O3材料的导电性能;少量SO2-4(w(SO2-4)≈2%)的存在,能提高材料的比表面积和表面吸附氧On-2量,187℃下对乙醇有较好的选择性和灵敏度.

关 键 词:SO2-4  掺杂  氧化铟  气敏性能  超声分散浸渍法  气敏材料

Effect of SO_4~(2-) dopant on the conductivity and gas-sensing properties of In_2O_3
GE Xiu-tao,LIU Xing-qin,LI Yong-hong.Effect of SO_4~(2-) dopant on the conductivity and gas-sensing properties of In_2O_3[J].Journal of Zhengzhou Institute of Light Industry(Natural Science),2004,19(4):29-31.
Authors:GE Xiu-tao  LIU Xing-qin  LI Yong-hong
Affiliation:GE Xiu-tao~1,LIU Xing-qin~2,LI Yong-hong~1
Abstract:
Keywords:SO~(2-)_4  doping  In_2O_3  gas-sensing properties  ultrasonic dispersion dipping  gas_sensing material
本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录!
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