| Ka频段单片低噪声放大器设计 |
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| 引用本文： | 杨自强,杨涛,刘宇.Ka频段单片低噪声放大器设计[J].微波学报,2007,23(3):39-42. |
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| 作者姓名： | 杨自强 杨涛 刘宇 |
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| 作者单位： | 电子科技大学微波中心,成都,610054 |
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| 基金项目： | 砷化镓超高速集成电路和微波功率器件国防科技重点实验室基金 |
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| 摘 要： | 设计了一个Ka频段低噪声放大器MMIC,该芯片采用两级放大的结构,通过调节有源器件几何尺寸(栅宽和叉指数)和源极串联负反馈,减小最佳噪声匹配点(Γo)和共轭匹配点(S1*1)之间的距离,使低噪声放大器同时获得最佳噪声匹配和共轭匹配。另一方面,在源极引入串联负反馈可提高放大器的稳定性。该放大器采用商用的0.18μm pHEMT工艺制造,芯片面积为1.4×0.9mm2。把该芯片安装在测试电路上进行测试,在29~33GHz频率范围内,实现增益大于10dB,30GHz处噪声系数约为2.3dB。
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| 关 键 词： | 低噪声放大器 高电子迁移率管 Ka频段 微波单片集成电路 |
| 文章编号： | 1005-6122（2007）03-0039-04 |
| 收稿时间： | 2006-04-19 |
| 修稿时间： | 2006-04-19 |
The Design of a Ka-band Low Noise Amplifier MMIC |
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| YANG Zi-qiang,YANG Tao,LIU Yu.The Design of a Ka-band Low Noise Amplifier MMIC[J].Journal of Microwaves,2007,23(3):39-42. |
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| Authors: | YANG Zi-qiang YANG Tao LIU Yu |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | LNA HEMT Ka-band MMIC |
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