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| Er2O3掺杂ZnO压敏陶瓷的制备及其电学性能 | |
| 作者姓名： | 王林雪 赵能慧 苏锦锋 曹文斌 |
| 作者单位： | 陕西科技大学文理学院半导体材料与器件研究中心 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(12005125,51802183); |
| 摘 要： | 研究了Er2O3掺杂对ZnO–Bi2O3–Sb2O3–Co2O3–MnO2–Cr2O3–SiO2压敏陶瓷微观结构和电学性能的影响。Er2O3掺杂后,部分Er固溶于富Bi相中,对ZnO压敏陶瓷的晶界特性和电学性能产生了较大影响。随着Er2O3掺杂量从0.09%(质量分数)增大到0.35%,样品晶界电阻率不断减小,漏电流密度不断增大,双Schottky晶界势垒高度和非线性系数先增大后减小,击穿场强不断增大;当Er2O3掺杂量为0.27%时,所得ZnO压敏陶瓷非线性系数达到54.4±1.5,击穿场强为(470.1±2.8) V·mm–1,漏电流密度为(1.9±0.1)μA·cm |
| 关 键 词： | 氧化锌 压敏陶瓷 氧化铒掺杂 |