| 1.0μm栅长GaAs基MHEMT器件及SPDT开关MMIC |
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| 引用本文： | 徐静波,黎明,张海英,王文新,尹军舰,刘亮,李潇,张健,叶甜春.1.0μm栅长GaAs基MHEMT器件及SPDT开关MMIC[J].半导体学报,2008,29(4):668-671. |
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| 作者姓名： | 徐静波 黎明 张海英 王文新 尹军舰 刘亮 李潇 张健 叶甜春 |
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| 作者单位： | [1]中国科学院微电子研究所,北京100029 [2]中国科学院物理研究所,北京100080 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)
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装备预先研究基金
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中国科学院微电子研究所所长基金 |
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| 摘 要： | 利用MBE外延材料和接触式光学光刻方式,成功制备出1.0μm栅长GaAs基MHEMT器件,分别蒸发Pt/Ti/Pt/Au和Ti/Pt/Au作为栅电极金属.获得了优越的DC和RF性能,Pt/Ti/Pt/Au和Ti/Pt/Au MHEMT器件的gm为502(503)mS/mm,JDss为382(530)mA/mm,VT为0.1(-0.5)V,fT和fmax分别为13.4(14.8),17.0(17.5)GHz.利用单片集成增强/耗尽型GaAs基MHEMT器件制备出九阶环型振荡器,直流电压为1.2V时,振荡频率达到777.6MHz,门延迟时间为71.4ps.利用Ti/Pt/Au MHEMT器件设计并制备出了DC-100Hz单刀双掷(SPDT)关MMIC,其插入损耗、隔离度、输入输出回波损耗分别优于2.93,23.34和20dB.
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| 关 键 词： | MHEMT Pt/Ti/Pt/Au Ti/Pt/Au SPDT MMIC |
| 文章编号： | 0253-4177(2008)04-0668-04 |
| 收稿时间： | 8/1/2007 9:07:17 PM |
| 修稿时间： | 2007年8月1日 |
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