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| 用二异丙基碲化物低温生长CdTe和HgCdTe外延膜 | |
| 作者姓名： | W.E.Hoke 刘昭华 |
| 摘 要： | 红外探测系统中的灵敏元件要求高质量HgCdrTe薄膜。最近研究了用有机金属化学汽相淀积(MOCVD)法生长HgCdTe外延膜的能力。用这种方法,生长温度的下限就由常用的二乙基碲(DET)化合物的稳定性决定。本工作的主要目的是要通过采用不太稳定的有机碲化合物来降低HgCdTe的生长温度。在低温下生长HgCdTe有许多潜在优点。在低温下减少了扩散过程,从而得到了较明显 |
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