| 纳米电子器件-高峰值峰谷电流比InP基共振隧穿二极管的实现 |
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| 引用本文： | 张杨,曾一平,马龙,王保强,朱战平,王良臣,杨富华.纳米电子器件-高峰值峰谷电流比InP基共振隧穿二极管的实现[J].半导体学报,2007,28(Z1):41-43. |
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| 作者姓名： | 张杨 曾一平 马龙 王保强 朱战平 王良臣 杨富华 |
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| 作者单位： | 张杨（中国科学院半导体研究所,材料科学中心,北京,100083）;曾一平（中国科学院半导体研究所,材料科学中心,北京,100083）;马龙（中国科学院半导体研究所,材料科学中心,北京,100083）;王保强（中国科学院半导体研究所,材料科学中心,北京,100083）;朱战平（中国科学院半导体研究所,材料科学中心,北京,100083）;王良臣（中国科学院半导体研究所,材料科学中心,北京,100083）;杨富华（中国科学院半导体研究所,材料科学中心,北京,100083） |
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| 摘 要： | 利用分子束外延技术研制出InP基IhAs/In0.53Ga0.47As/AlAs共振隧穿二极管,其中势垒为10个单分子AlAs,势阱由8个单分子层In0.53Ga0.47As阱和4个单分子层InAs子阱组成.室温下峰值电流密度接近3kA/cm2,峰和谷的电流密度比率达到19.
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| 关 键 词： | 共振隧穿二极管 InP基 分子束外延 |
| 文章编号： | 0253-4177(2007)S0-0041-03 |
| 修稿时间： | 2006年11月27 |
Realization of Nanoelectronic Devices-Resonant Tunneling Diodes Grown on InP Substrates with High Peak to Valley Current Ratio |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | resonant tunneling diode InP substrate molecular beam epitaxy |
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