首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

多比特相位量化数字射频存贮技术及寄生电平
引用本文:曲尔光, 杨绍全. 多比特相位量化数字射频存贮技术及寄生电平[J]. 电子与信息学报, 2002, 24(11): 1475-1479.
作者姓名:曲尔光  杨绍全
作者单位:1. 山西运城高等专科学校,运城,044000
2. 西安电子科技大学电子工程学院,西安,710071
摘    要:该文讨论多比特相位量化的原理和方法,给出易于单片集成的相位量化器的拓扑结构形式;研究了影响寄生电平的因素,给出了寄生电平与量化比特数的表示式,并着重讨论了相位量化器输入的I,Q信号幅、相不平衡对寄生电平的影响。

关 键 词:数字射频存贮器   相位量化   寄生电平
收稿时间:2001-05-08
修稿时间:2001-05-08

Multi-bit phase quantization RF memory and its spurious level
Qu Erguang, Yang Shaoquan. Multi-bit phase quantization RF memory and its spurious level[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 2002, 24(11): 1475-1479.
Authors:Qu Erguang  Yang Shaoquan
Affiliation:Yuncheng Advanced College Yuncheng 044000 China;Inst. of Electron. Eng.,Xidian University Xi an 710071 China
Abstract:t The principle of multi-bit Phase Quantization Digital RF Memory (PQDRFM) and the implementation of Phase Quantizer (PQ) are discussed. The topology of PQ which is easy to monolithic integration is given. The factors affecting the spurious level of PQDRFM are investigated and the expression of the relationship of spurious level via the quantization bit number is given. The emphasis is put on the effect of the unbalance of PQ input amplitude and phase on the spurious level.
Keywords:Digital RF memory   Phase quantization   Spurious level
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
点击此处可从《电子与信息学报》浏览原始摘要信息
点击此处可从《电子与信息学报》下载全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号