室温下用离子束辅助淀积法在衬底上镀制MgF_2膜 |
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引用本文: | Charles M.Kennemore,王尚铎.室温下用离子束辅助淀积法在衬底上镀制MgF_2膜[J].激光与红外,1985(6). |
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作者姓名: | Charles M.Kennemore 王尚铎 |
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摘 要: | 实验在真空度为2×10~(-4)Pa的普通扩散泵浦高真空室中淀积MgF_2膜。当离子源工作时,这真空度降到10~(-2)Pa(充了氩气)。膜淀积在热源上方40cm处的25×12mm石英玻璃和PMMA衬底上。Kaufman型离子枪在衬底下方30cm处,与衬底法线成30°角。加了负偏压的1cm~2的离子探针用陶瓷架同蒸发物流隔开。淀积速率和膜的厚度用石英晶体控制。膜均以5A/Sec的速率淀积。参考膜不用离子束辅助法制作:一组淀积在室温衬底上,另一组淀积在加热到300℃的衬底上。用离子束
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