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| 专利技术 | |
| 摘 要： | 正专利名称:一种富活性位二硫化钼纳米片及其制备方法和应用专利申请号:CN201510788891. 6公开号:CN105329946A申请日:2015. 11. 16公开日:2016. 02. 17申请人:暨南大学本发明属于纳米材料技术领域,具体公开了一种富活性位二硫化钼纳米片及其制备方法和应用。所述制备方法包括如下步骤:将钼酸盐和硫源溶解于水中,其中硫源与钼酸盐中的钼原子的摩尔比为2. 0～18. 0;然后将溶液在微波辐射条件下加热至140～250℃,反应5～240 min,经过离心得到黑色 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |