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| ZnO薄膜制备及其发光特性研究 | |
| 引用本文： | 王晶,张希清,等.ZnO薄膜制备及其发光特性研究[J].光电子．激光,2002,13(11):1116-1119. |
| 作者姓名： | 王晶 张希清 |
| 作者单位： | 北方交通大学光电子技术研究所,信息存储、显示与材料开放实验室,北京,100044 |
| 摘 要： | 用射频磁控反应溅射法分别在未加热和加热的石英玻璃衬底上制备ZnO薄膜，在不同温度下进行退火处理，研究衬底温度、退火条件对其结构和发光性能的影响。通过对样品的X射线衍射（XRD）、吸收光谱和光致发光（PL）光谱的测量结果表明，衬底温度为230℃、退火温度为400℃时样品结晶性能最佳，并具有最强的紫外光发射（380nm）。 |
| 关 键 词： | ZnO薄膜 制备 发光特性 磁控溅射 光致发光 氧化锌 半导体化合物 |
| 文章编号： | 1005-0086(2002)11-1116-04 |
| 修稿时间： | 2002年6月19日 |
Preparation and Property Investigations of Magnetron Sputtered Zinc Oxide Thin Films |
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| Abstract: | |
| Keywords: | ZnO thin film Magetron sputtering Photoluminescence(PL) |
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