| 量子点2D-3D完整生长过程的Monte Carlo模拟 |
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| 引用本文： | 詹静,陈曦,付非亚,杨康,胡义祥,褚海波,刘牛,江建军. 量子点2D-3D完整生长过程的Monte Carlo模拟[J]. 功能材料, 2006, 37(10): 1578-1581 |
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| 作者姓名： | 詹静 陈曦 付非亚 杨康 胡义祥 褚海波 刘牛 江建军 |
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| 作者单位： | 华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074;华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074;华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074;华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074;华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074;华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074;华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074;华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074 |
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| 基金项目： | 新世纪优秀人才支持计划 |
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| 摘 要： | 利用蒙特卡罗模拟方法对GaAs衬底上MBE法自组织生长InAs量子点的过程进行了研究,完成了量子点二维到三维生长完整过程的模拟.充分考虑应力应变的影响因素,首次使用指数函数形式的应力应变模型,使模拟结果更加可靠.通过改变衬底温度, 生长停顿时间,得到了不同条件下量子点生长的计算机模拟图形并对结果进行了讨论.结果发现,适中的温度和较充分的迁移时间有助于生长出高质量的量子点.
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| 关 键 词： | 分子束外延 量子点自组织生长 蒙特卡罗方法 |
| 文章编号： | 1001-9731(2006)10-1578-03 |
| 修稿时间： | 2006-06-20 |
Monte carlo simulation of quantum dots 2D-3D growth by MBE |
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| ZHAN Jing,CHEN Xi,FU Fei-ya,YANG Kang,HU Yi-xiang,CHU Hai-bo,LIU Niu,JIANG Jian-jun. Monte carlo simulation of quantum dots 2D-3D growth by MBE[J]. Journal of Functional Materials, 2006, 37(10): 1578-1581 |
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| Authors: | ZHAN Jing CHEN Xi FU Fei-ya YANG Kang HU Yi-xiang CHU Hai-bo LIU Niu JIANG Jian-jun |
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| Abstract: | The paper indicates a simulation of the MBE growth of self-assembled InAs quantum dots on ideal GaAs substrate using an Monte Carlo method,which presents the whole process of QD growth from 2D to 3D.Stress is fully considered by using exponential function model,which makes the results more reliable.A series of quantum dots growth pictures obtained by altering the temperature and the interval time between growth are discussed.It is found that moderate temperature and adequate migrating time conduce to growing quantum dots of high quality. |
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| Keywords: | MBE self-assembled quantum dot Monte Carlo method |
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