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| 2.5—10Gb/s光发射机驱动电路HEMT IC中器件模型参数 | |
| 引用本文： | 高建军,高葆新,吴德馨. 2.5—10Gb/s光发射机驱动电路HEMT IC中器件模型参数[J]. 半导体学报, 2001, 22(6): 800-805 |
| 作者姓名： | 高建军 高葆新 吴德馨 |
| 作者单位： | [1]中国科学院微电子中心,北京100029 [2]清华大学电子工程系,北京100084 |
| 摘 要： | 对高速调制器驱动电路 HEMT IC中器件参数进行了研究 ,着重讨论了 HEMT器件直流参数、交流参数对外调制驱动电路特性的影响 ,给出了满足电路性能要求的器件参数范围 ;对 2 .5— 10 Gb/ s PHEMT IC光驱动电路进行了计算机仿真 ,眼图模拟结果表明满足 2 .5— 10 Gb/ s高速光纤通信系统需要 |
| 关 键 词： | 高速光集成电路 光发射机 驱动电路 HEMT器件模型参数 |
| 文章编号： | 0253-4177(2001)06-0800-06 |
| 修稿时间： | 2000-06-21 |
Device Model Parameters for 2.5-10Gb/s HEMT Modulator Driver IC |
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| Abstract: | |
| Keywords: | high-speed optoelectronic integrated circuit optical transmitters driver IC HEMT device model parameters |
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