| 低能离子溅射引起表面损伤的研究 |
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| 引用本文： | 周祖尧,任琮欣,陈国明,胡嘉增,杨洁,傅新定,邹世昌,朱德彰,曹德新. 低能离子溅射引起表面损伤的研究[J]. 核技术, 1986, 0(7) |
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| 作者姓名： | 周祖尧 任琮欣 陈国明 胡嘉增 杨洁 傅新定 邹世昌 朱德彰 曹德新 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所(周祖尧，任琮欣，陈国明，胡嘉增，杨洁，傅新定，邹世昌)，中国科学院上海原子核研究所(朱德彰)，中国科学院上海原子核研究所(曹德新) |
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| 摘 要： | 本文应用背散射沟道技术研究了低能离子轰击不同晶向表面所引起的晶格损伤与离子能量、剂量的关系,讨论了损伤形成的动力学过程。
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| 关 键 词： | 溅射 损伤 刻蚀 |
Investigation of Si surface damage induced by low energy ion sputtering |
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| Zhou Zuyao Ren Congxin Chen Guoming Hu JiazengYang Jie Fu Xinding Zou Shichang. Investigation of Si surface damage induced by low energy ion sputtering[J]. Nuclear Techniques, 1986, 0(7) |
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| Authors: | Zhou Zuyao Ren Congxin Chen Guoming Hu JiazengYang Jie Fu Xinding Zou Shichang |
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| Abstract: | Silicon crystal lattice damage induced by low energy ions is measured by RBS and channeling. The dependence of the lattice damage on crystal orientation, ion energy and dose is investigated. The kinetics of damage formation is discussed. |
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| Keywords: | sputtering damage etching |
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