|
|||||
|
|
| （100）Si在KOH中各向异性腐蚀的凸角补偿新方法 | |
| 引用本文： | 张庆鑫,刘理天,李志坚.（100）Si在KOH中各向异性腐蚀的凸角补偿新方法[J].半导体学报,1996,17(12):923-927. |
| 作者姓名： | 张庆鑫 刘理天 李志坚 |
| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所 |
| 摘 要： | 本文对Ｇ．Ｋ．Ｍａｙｅｒ等人提出的，用（１００）条对（１００）Ｓｉ凸角补偿的方法进行了深入研究，指出了该方法在腐蚀槽较窄时的局限性，在此基础上提出了一种改进的新方法，并给出了理论分析及实验结果． |
| 关 键 词： | 硅 氢化钾溶液 腐蚀 凸角补偿 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《半导体学报》下载全文 | |