印制电路板棕化工艺优化及其性能

运用单纯形优化法对铜箔棕化处理的配方和工艺条件进行动态寻优,得到最优组合为:内层键合剂25~40 mL/L,浓硫酸55~60 mL/L,双氧水35~50 mL/L,温度30~45℃,时间50~60s。在最优条件下棕化处理的铜箔与树脂的剥离强度达0.74 kg/cm,经100个冷热冲击循环、6次高温浸锡和6次无铅回流焊后均无分层、爆板现象。棕化后的铜箔表面形成了微观均匀的蜂窝状孔隙结构,剥离时分层发生于有机铜氧化膜与铜基板的界面处。