基于高压GaN器件的双有源桥设计

高压氮化镓(GaN)与传统硅基器件相比,其禁带宽度更宽,导通电阻及寄生电容更小,因此应用在中小功率场合可有效提高变换器的功率密度和开关频率。根据高压GaN的开关特性,设计了一种能消除米勒效应的高压GaN驱动电路,继而又设计了一款开关频率达200 kHz的高压GaN双有源桥实验平台,并进行了相应的实验验证及效率、温度的分析。