韩国设计替代MOSFET的IGBT 期刊界 All Journals 搜尽天下杂志传播学术成果专业期刊搜索期刊信息化学术搜索

韩国设计替代MOSFET的IGBT

摘要：	对绝缘栅双极晶体管(IGBT)来说,最高开关频率主要是受制于总的开关能量的损耗。这在单晶体管和双晶体管结构的功率转换应用中尤其如此,因为在这种应用场合三
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