耐熔金属硅化物 |
| |
作者姓名: | 周南生 严北平 张文敏 王云芝 蒋文清 |
| |
作者单位: | 西北电讯工程学院技术物理系,西北电讯工程学院技术物理系,西北电讯工程学院技术物理系,西北电讯工程学院技术物理系,西北电讯工程学院技术物理系 |
| |
摘 要: | 近年来,随着集成度的提高,线宽变窄,栅极布线电阻和互连电阻对延迟时间的贡献增大,大大限制了IC的速度,因此,有关电极和布线等金属化的新材料和新技术的开发成为一个十分迫切的问题。耐熔金属硅化物由于导电率高、高温稳定等优点已经引起人们的注目。本文详细综述了耐熔金属硅化物的性质、形成方法、工艺技术以及在VLSI中的应用,并对其前景进行了展望。
|
本文献已被 CNKI 等数据库收录! |
|