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片式BaTiO3基PTCR瓷片的制备及烧结工艺的研究
引用本文:刘欢,龚树萍,周东祥. 片式BaTiO3基PTCR瓷片的制备及烧结工艺的研究[J]. 压电与声光, 2005, 27(3): 267-269
作者姓名:刘欢  龚树萍  周东祥
作者单位:华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074
基金项目:国家"八六三"计划基金资助项目(2001AA325040)
摘    要:以轧膜成型工艺制备的BaTiO3基热敏电阻(PTCR)坯片为对象,研究了烧结工艺对其电性能的影响.结果表明,通过控制烧结温度的各参数,可优化成BaTiO3基热敏电阻的电性能.且获得室温电阻低于10 Ω、升阻比达5个数量级且耐电压高于50 V/mm的片式PTCR瓷片,尺寸为8 mm×5 m×0.22 mm.

关 键 词:片式PTCR 轧膜成型 烧结工艺
文章编号:1004-2474(2005)03-0267-03
修稿时间:2003-09-18

Study on Preparation and Sinter-System of BaTiO3-based Chip PTCR
LIU Huan,GONG Shu-ping,ZHOU Dong-xiang. Study on Preparation and Sinter-System of BaTiO3-based Chip PTCR[J]. Piezoelectrics & Acoustooptics, 2005, 27(3): 267-269
Authors:LIU Huan  GONG Shu-ping  ZHOU Dong-xiang
Abstract:
Keywords:chip PTCR  rolling formation  sinter-system
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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