| 倒掺杂沟道MOSFETs的研究 |
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| 引用本文： | 杨颖琳,陈军宁,高珊. 倒掺杂沟道MOSFETs的研究[J]. 电子技术, 2010, 47(6): 78-80 |
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| 作者姓名： | 杨颖琳 陈军宁 高珊 |
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| 作者单位： | 安徽大学电子科学与技术学院 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目"复合多晶硅栅射频高增益MOSFET的研究"，省级实验室项目"基于栅工程的射频功率LDMOS的设计 |
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| 摘 要： | 本文研究了一种倒掺杂沟道MOSFET。与传统的MOSFETs不同,这种器件采用沟道表面掺杂浓度低、体内掺杂浓度高的倒掺杂设计。基于Possion方程,建立了线性变掺杂的沟道倒掺杂模型,得出了器件表面电势以及漏极电流的表达式,研究了垂直于沟道方向上倒掺杂的陡峭程度对漏极电流、饱和驱动电流以及表面电势的影响。计算结果与二维仿真软件MEDICI模拟结果相符。
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| 关 键 词： | 倒掺杂 表面电势 漏极电流 饱和驱动电流 MOSFET |
Study of MOSFETS with a Retrograde Channel |
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| Yang Yinglin,Chen Junning,Gao Shan. Study of MOSFETS with a Retrograde Channel[J]. Electronic Technology, 2010, 47(6): 78-80 |
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| Authors: | Yang Yinglin Chen Junning Gao Shan |
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| Affiliation: | Yang Yinglin Chen Junning Gao Shan(School of Electronic Science and Technology,Anhui University) |
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| Abstract: | This paper studies a kind of MOSFETs with retrograde channel.Different from traditional MOSFETs,this device adopts the retrograde design featuring lower surface doping concentration and higher substrate doping concentration.Based on the solution to the Poisson's equation,the retrograde doping model of linearly varied doping is set up,and then the expressions for the surface potential and drain current are obtained.The model gives the influence of doping profile sharpness on the drain current,saturated drive... |
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| Keywords: | MOSFET |
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